来源：雪球App，作者： 刚强的存钱神箭手，（https://xueqiu.com/9858563090/322175779）
问题：全球范围内可以生产半导体级的铪（电子级铪）的企业有哪些？中国有半导体级的铪产能吗？
已深度思考（用时 15 秒）
嗯，用户问的是全球范围内能生产半导体级铪（电子级铪）的企业有哪些，以及中国有没有这样的产能。首先，我需要确认半导体级铪的具体要求是什么。电子级材料通常需要极高的纯度，比如99.999%（5N）甚至更高，而且需要控制特定的杂质含量，比如铁、钠、钾等金属杂质，这些杂质会影响半导体器件的性能。
接下来，我需要回忆之前关于铪在半导体中的应用。铪主要用于高介电常数（高k）材料，如HfO₂，作为栅介质层，替代传统的二氧化硅。所以生产这种材料的公司可能涉及到铪的提纯和加工步骤。
然后，全球范围内有哪些企业生产半导体级铪？可能包括美国、日本、欧洲的主要材料供应商。比如美国的ATI（Allegheny Technologies Incorporated）、日本的东邦钛（Toho Titanium）、德国的H.C. Starck等。这些公司可能有能力生产高纯度铪材料。
接下来，关于中国是否有半导体级铪的产能。之前用户提到过中国在核级锆的生产上有进展，但半导体级可能需要更高的纯度。可能需要查证国内是否有企业涉足这一领域，比如国核锆业、东方锆业或者一些新兴的材料公司。需要确认这些公司是否有技术能力生产电子级铪，或者是否还在研发阶段。
另外，需要考虑到半导体材料的供应链通常比较集中，且技术门槛高，中国可能在进口依赖上仍然存在，但近年来可能有国产替代的计划或进展。比如，国家在半导体材料领域的政策支持，是否有企业宣布相关产能建设。
还需要注意区分铪的原料生产和后续加工。有些公司可能从锆英砂中提取铪，再进行精炼提纯到电子级。例如，澳大利亚的Iluka Resources是锆英砂的主要供应商，但可能不直接生产高纯度铪，而是将原料卖给其他公司进行加工。
另外，半导体级铪的市场规模相对较小，但技术门槛高，可能只有少数几家公司能够生产。同时，地缘政治因素可能影响供应链，比如出口管制，这也可能促使中国加快自主研发和生产。
总结一下，可能的步骤是：
1. 确认半导体级铪的技术要求和应用。
2. 列举全球主要生产商，包括他们的技术能力和市场份额。
3. 调查中国企业的现状，包括已有产能、技术突破和未来计划。
4. 分析中国是否依赖进口，以及国产化的进展和挑战。
5. 最后给出综合回答，包括全球主要企业和中国的情况。
需要注意是否有遗漏的企业，或者最新的市场动态，比如新进入者或技术突破。可能需要查阅近期的行业报告或公司公告，确保信息的准确性。例如，是否有中国企业在高纯度铪材料方面取得认证或量产的消息。
另外，需要确认铪在半导体中的具体形态，比如金属铪还是氧化铪，不同的形态可能需要不同的生产工艺。例如，H.C. Starck可能生产金属铪，而其他公司可能专注于氧化铪的制备。
最后，回答时要结构清晰，分点列出全球企业和中国的情况，并指出技术挑战和未来趋势。
以下是全球范围内能够生产半导体级铪（电子级铪）的企业及中国在该领域的现状分析：
一、全球半导体级铪（电子级铪）主要生产企业半导体级铪需满足极高纯度要求（通常≥5N，即99.999%以上），且需控制金属杂质（如Fe、Na、K等）至ppb级别，主要用于高k栅介质（HfO₂）、先进逻辑芯片及存储芯片。全球核心生产企业如下：
1. 美国企业ATI（Allegheny Technologies Incorporated）
技术能力：全球领先的高纯度铪供应商，可提供5N级金属铪及氧化铪（HfO₂），用于英特尔、台积电等先进制程。
产能：年产能约50-80吨，占全球高端市场份额超40%。
Materion Corporation
产品特点：提供超纯铪靶材及HfO₂前驱体（如HfCl₄），适配ALD/CVD工艺。
应用领域：7nm以下逻辑芯片及3D NAND存储芯片。
2. 日本企业东邦钛（Toho Titanium）
技术路线：通过电子束熔炼（EBM）和区域精炼技术提纯铪，纯度达6N级，供应索尼、铠侠等存储芯片厂商。
市场份额：占全球半导体级铪市场约25%。
JX金属（JX Nippon Mining & Metals）
产品范围：高纯度HfO₂粉末及镀膜材料，用于EUV光刻胶配套工艺。
3. 欧洲企业德国H.C. Starck（现属Materion）
技术优势：溶剂萃取法分离锆铪，提纯至5N级，供应欧洲半导体设备商（如ASML、英飞凌）。
历史地位：曾为全球最大铪供应商，技术整合后产能部分转移至美国。
法国Orano
业务延伸：依托核级锆铪分离技术，开发半导体级铪产品，但市场份额较小。
4. 其他地区韩国SK材料（SK Materials）
进展：通过技术合作（如与ATI）进入高纯度铪市场，聚焦DRAM及3D NAND应用。
二、中国半导体级铪产能现状1. 现有企业及技术突破国核锆业（SNZ）
技术基础：依托AP1000核级锆国产化技术，研发半导体级铪提纯工艺，纯度达4N-5N级。
产能规划：2025年前建成年产20吨试验线，重点突破ALD/CVD前驱体技术。
东方锆业（广东）
进展：联合中科院上海硅酸盐研究所开发电子级HfO₂粉末，纯度达5N级，处于客户认证阶段。
目标市场：国产28nm及以上制程芯片，替代进口材料。
有研新材（GRINM）
研发方向：高纯度铪靶材及溅射镀膜材料，已实现小批量供货。
2. 进口依赖与技术瓶颈当前依赖度：中国半导体级铪进口比例超90%，主要从ATI、东邦钛等企业采购。
技术挑战：
提纯工艺：电子束熔炼（EBM）设备依赖进口，成本高昂。
杂质控制：金属杂质（如Fe）需稳定控制在1ppb以下，国产材料批次一致性不足。
前驱体合成：HfCl₄等气体前驱体合成技术尚未完全突破，依赖日本/美国供应。
3. 政策支持与未来规划国家专项支持：
“十四五”规划将高纯度铪材料列入“电子专用材料攻关工程”，目标2030年实现5N级铪国产化。
大基金二期注资材料企业（如上海新昇、有研新材）推动产线建设。
产能目标：
2025年：国产半导体级铪产能达50吨/年，满足成熟制程需求。
2030年：实现先进制程（7nm以下）材料自主供应，国产化率超30%。
三、全球供应链格局与中国突破路径1. 全球市场集中度头部企业：ATI、东邦钛、Materion三家企业占据全球80%以上市场份额。
技术壁垒：提纯工艺（EBM、区域精炼）及前驱体合成专利被美日企业垄断。
2. 中国突破路径联合研发：
企业与科研院所（如中科院、清华大学）合作开发低成本提纯技术（如等离子体精炼）。
产业链整合：
整合锆英砂资源（如东方锆业控股澳洲锆矿），降低原料依赖。
替代技术探索：
开发铪基复合材料（如HfO₂-ZrO₂）降低对单一高纯度铪的需求。
总结全球核心企业：ATI（美）、东邦钛（日）、Materion（美）主导半导体级铪供应，技术门槛极高。
中国现状：
已启动国产化进程，但短期内仍依赖进口；
国核锆业、东方锆业等企业处于技术攻关阶段，2025年后有望实现部分替代。
未来展望：若政策支持与研发投入持续，中国或于2030年跻身全球半导体级铪供应链第二梯队。
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